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苹果3nm工艺芯片曝光,下一代 iPad Pro 厉害了!

苹果3nm工艺芯片曝光,下一代 iPad Pro 厉害了!
现在手机芯片界的主流旗舰,大多使用的是5nm工艺。比如苹果A14、华为麒麟9000和高通骁龙888,都是5nm。相比于上代的7nm,性能提升可以说是挺大。工艺的进步,可以大幅度的提升手机性能,同时也是一个公司科技实力的体现。死磕工艺进程,这些大厂一直在竞速。因为一丝一毫的进步,都可能影响整个行业。近...
  • 1年前
  • 苹果
  • iPad
  • 现在手机芯片界的主流旗舰,大多使用的是 5nm工艺。


    比如苹果A14、华为麒麟9000和高通骁龙888,都是5nm。


    相比于上代的7nm,性能提升可以说是挺大。



    工艺的进步,可以大幅度的提升手机性能同时也是一个公司科技实力的体现。


    死磕工艺进程,这些大厂一直在竞速。


    因为一丝一毫的进步,都可能影响整个行业。


    近日,这几年芯片大厂,全都传出了最近下一代芯片的消息。



    1、高通骁龙895


    高通骁龙895从名字上来看,应该是骁龙888和骁龙888 plus的迭代产品。


    也可以称之为下一代安卓机的旗舰芯片。



    近日,有消息爆料,骁龙895将是一款4纳米的芯片,将由三星制造。


    也有消息说会继续采用三星5nm工艺。


    如果没有意外,将会在今年的12月份发布。


    在12月底或者1月初,咱们就能见到搭载骁龙895的旗舰机型了。


    从时间上来看,跟小米11首发骁龙888的时间完全吻合。



    目前,骁龙895的升级和跑分情况已经曝光了。


    骁龙895创新采用1+3+2+2的四丛集架构,其中Kryo 780超大核基于Cortex-X2,Kryo 780大核基于Cortex-710Kryo 780能效大核基于Cortex-510(高频),Kryo 780能效小核基于Cortex-A510(低频)。


    Cortex-X2/A710/A510都是ARM基于64位v9指令集下的最新公版设计,分别取代X1/A78/A55。

    快科技



    跑分方面,GeekBench 5单核1250左右、多核4000左右,安兔兔首超100万大关。


    目前市面上骁龙888旗舰安兔兔跑分已经最高的为82万多。


    单核比骁龙888提升10%左右、多核提升6%,单核追上苹果A13,多核持平苹果A14。


    此外,骁龙895还有一个孪生兄弟骁 龙895 Plus(或者是骁龙895+)。


    由台积电制造,在2022年下半年推出。



    2、苹果3nm — M系列芯片


    近日有报道称,苹果和Intel将是台积电3nm的首批客户,相关芯片正在测试。


    目前苹果的3nm芯片还在测试阶段,今年的新款iPhone(13)是搭载不上的。


    iPhone13搭载的A15处理器依旧采用5nm制程工艺。


    但性能和能效比会相比第一代5nm工艺有所增强。



    当然,4nm工艺苹果也是不会跳过的。


    明年的iPhone 14系列搭载的A16处理器,将采用4nm工艺。


    4nm工艺说起来算是5nm的改良版,技术相对更加成熟,但是对于性能的提升或许会比较有限。


    而报道中所说的苹果3nm制程订单,将会首发于iPad/mac使用的M系列芯片。



    此前,台积电曾表示:


    与5nm制程相比,3nm制程可以将处理器性能提高10%至15%,同时将功耗降低25%至30%。


    相信搭载3nm芯片的Mac/iPad在生产力上,会更加让人期待。



    3、三星宣布3nm芯片成功流片


    6月底,三星宣布:3nm制程技术已经正式流片。


    据介绍,三星的3nm制程采用的是GAA架构性能优于台积电的3nm FinFET架构。



    三星在3nm制程的流片进度与新思科技合作完成,目的在于加速为GAA架构的生产流程提供高度优化的参考方法。


    据三星的说法,与5nm制造工艺相比:


    3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上,功耗降低了50%,性能提高了约30%。



    三星采用的这个GAA技术可以说是以后半导体行业的必争之地。


    从 10nm 到 7nm 再到现在的 5nm,进化的幅度已经越来越小,因为FinFET工艺结构已经发展了10多年了。


    虽然在工艺上相对成熟,但是已经要接近天花板了,5nm 之后, FinFET 工艺结构已经不好用了。



    这个时候,GAA 环绕式栅极技术晶体管技术就成了推进工艺的一大变革。


    GAA 全称 Gate-All-Around ,是一种环绕式栅极技术晶体管,也叫做 GAAFET。


    最大的区别在于芯片晶体管的换用全新的微观结构。(咱们这个不是科普文,就这样简单的说一下哈)


    三星率先在3nm导入GAA,台积电则计划在2nm才启用GAA。


    图片来自:大洋科创


    工艺制程的提升,意味着性能将会大幅提升,不是挤牙膏,不是双胞胎。


    从目前的消息来看,2022年的各种机就有望搭载3nm芯片了,明年的旗舰还是值得期待的。

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